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硅基芯片

芯片

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ZG6 比特硅基光延遲芯片

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：1698

6 比特硅基光延遲芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產(chǎn)品。
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ZGSOI芯片光延時線

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：1642

SOI芯片光延時線具有多通道、高集成度芯片化、高速響應等特點，主要應用于光纖傳感、光纖通信、激光雷達等領域
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ZG硅基光延時芯片超小尺寸

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：1531

硅基光延時芯片超小尺寸是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產(chǎn)品。
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ZG硅基6 位可調光延時芯片

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：1437

硅基6 位可調光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產(chǎn)品。
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ZG硅基6 位光延時芯片

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：1386

硅基6 位光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產(chǎn)品。
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ZGSOI高速光開關芯片

更新時間：2025-02-17

型號：ZG

瀏覽量：1869

SOI高速光開關芯片該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應實現(xiàn)納秒級高速響應的光路切換，實現(xiàn)了多通道光開關陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅動電路一體化光電封裝，熱電混調，數(shù)字化驅動，偏振相關性小，插入損耗低
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梓冠高精度7bit 光延時器芯片

更新時間：2025-05-10

型號：梓冠

瀏覽量：1748

高精度7bit 光延時器芯片切換將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產(chǎn)
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梓冠7bit 光延時器芯片

更新時間：2025-05-10

型號：梓冠

瀏覽量：1504

7bit 光延時器芯片切換將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產(chǎn)
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